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2024-12-11

硅在室温下的禁带宽度

1.12电子伏特。根据查询相关资料信息显示,硅在室温下的禁带宽度约为1.12电子伏特(eV)。禁带宽度又称带隙,是指固体中价带和导带之间的能量间隙。在半导体材料中,禁带宽度大小决定了这种材料的导电性能和光电性能。硅是一种典型的半导体材料,其禁带宽度大小与硅晶体的晶格

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